ТРАНЗИСТОРЫ КТ732А, КТ733А
С.БЕЛЯЕВА, г.Минск, ГП Завод "Транзистор", тел./факс (017) 277-59-32, отдел маркетинга. E-mail trovm@integral.minsk.by
Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы KT732A(NPN) и KT733A(PNP) предназначены для работы в линейных и ключевых схемах, в преобразователях напряжения и других схемах аппаратуры широкого применения
Зарубежные аналоги: КТ732А - MJE4343, КТ733А - MJE4353.
Изготавливаются в корпусе КТ-43 (ТО-218) по АДБК 432140.775 ТУ.
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Параметры
Обозначение
Единица изм.
Значение
Напряжение коллектор-база
Uкб mах
В
160
Напряжение коллектор-эмиттер
Uкэ max
в
160
Напряжение эмиттер-база
Uэб max
в
7
Постоянный ток коллектора
Iк max
А
16
Импульсный ток коллектора ((„<5мс, СМО)
Iк, и max
А
20
Постоянный ток базы
Iб max
А
5
Рассеиваемая мощность коллектора
Pк max
Вт
90
Температура перехода
Tj
•С
150
Предельно допустимые режимы эксплууатации
Параметры
Обозначение
Ед-изм.
Режимы измерения
Min
Max
Граничное напряжение коллектор-эмиттер
Uкэщ гр
В
Iк=0,2 А, Iб=0
160
Обратный ток коллектора
Iкбо
мА
Uкб=160 В, lэ=0
0,75
Обратный ток коллектор-эмиттер
Iкэо
мА
Uкэ=80 В, lб=0
0,75
Iкэг
мА
Uкэ=160 В, Rбэ=100 Ом
1,0
Обратный ток эмиттера
Iэбо
мА
Uэб=7 в, Iк=0
1.0
Статический коэффициент передачи тока
h21Е
Uкэ=2 В, lк=8 A
>15
Uкэ=4 В, Iк=16 А
>8
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Uкэ (нас)
В
Iк=8 А, Iб=0,8 А
2,0
Iк=16 A, Iб=2 A
3,5
Напряжение насыщения база-эмиттер
Uбэ (нас)
В
Iк=16А, lб=2A
3,9
Граничная частота
fгр
МГц
Uкэ=20 В, ¦к=1 А, f=0,5 МГц
1,0