ТРАНЗИСТОРЫ КТ732А, КТ733А


С.БЕЛЯЕВА, г.Минск, ГП Завод "Транзистор", тел./факс (017) 277-59-32, отдел маркетинга. E-mail trovm@integral.minsk.by


Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы KT732A(NPN) и KT733A(PNP) предназначены для работы в линейных и ключевых схемах, в преобразователях напряжения и других схемах аппаратуры широкого применения

Зарубежные аналоги: КТ732А - MJE4343, КТ733А - MJE4353.

Изготавливаются в корпусе КТ-43 (ТО-218) по АДБК 432140.775 ТУ.

spr4oo1.gif

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Параметры

Обозначение

Единица изм.

Значение

Напряжение коллектор-база

Uкб mах

В

160

Напряжение коллектор-эмиттер

Uкэ max

в

160

Напряжение эмиттер-база

Uэб max

в

7

Постоянный ток коллектора

Iк max

А

16

Импульсный ток коллектора ((„<5мс, СМО)

Iк, и max

А

20

Постоянный ток базы

Iб max

А

5

Рассеиваемая мощность коллектора

Pк max

Вт

90

Температура перехода

Tj

•С

150


Предельно допустимые режимы эксплууатации

Параметры

Обозначение

Ед-изм.

Режимы измерения

Min

Max

Граничное напряжение коллектор-эмиттер

Uкэщ гр

В

Iк=0,2 А, Iб=0

160

Обратный ток коллектора

Iкбо

мА

Uкб=160 В, lэ=0

0,75

Обратный ток коллектор-эмиттер

Iкэо

мА

Uкэ=80 В, lб=0

0,75

Iкэг

мА

Uкэ=160 В, Rбэ=100 Ом

1,0

Обратный ток эмиттера

Iэбо

мА

Uэб=7 в, Iк=0

1.0

Статический коэффициент передачи тока

h21Е

Uкэ=2 В, lк=8 A

>15

Uкэ=4 В, Iк=16 А

>8

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Uкэ (нас)

В

Iк=8 А, Iб=0,8 А

2,0

Iк=16 A, Iб=2 A

3,5

Напряжение насыщения база-эмиттер

Uбэ (нас)

В

Iк=16А, lб=2A

3,9

Граничная частота

fгр

МГц

Uкэ=20 В, ¦к=1 А, f=0,5 МГц

1,0